| поискавой системы для электроныых деталей |
|
IRGP50B60PD1 датащи(PDF) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
IRGP50B60PD1 датащи(HTML) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
1 / 2 page ![]() ISG2195 eq IRGP50B60PD1 IGBT www.iscsemi.com 1 DESCRIPTION · Lower VCE(SAT) · Tighter Distribution of Parameters · Higher Reliability APPLICATIONS · Telecom and Server SMPS · PFC and ZVS SMPS Circuits · Uninterruptable Power Supplies ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCES Collector-Emitter Voltage 600 V VGES Gate-Emitter Voltage ± 20 V IC Collector Current-Continuous @ TC=25℃ 75 A IC Collector Current-Continuous @ TC=110℃ 45 A ICM Pulsed Collector Current@ TC= 25℃ 150 A IF Diode Continous Forward Curren @ TC=25℃ 40 A IF Diode Continous Forward Curren @ TC=100℃ 15 A IFM Maximum Repetitive Forward Curren 60 A PD Power Dissipation @TC=25℃ 390 W Tj Operating Junction Temperature -55~150 ℃ Tstg Storage Temperature Range -55~150 ℃ THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL PARAMETER MAX UNIT Rth j-c Thermal Resistance,Junction to Case IGBT 0.32 ℃ /W Rth j-c Thermal Resistance,Junction to Case Diode 1.7 ℃ /W |
Аналогичный номер детали - IRGP50B60PD1 |
|
Аналогичное описание - IRGP50B60PD1 |
|
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |