| поискавой системы для электроныых деталей |
|
APT26M100JCU2 датащи(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
APT26M100JCU2 датащи(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 3 page ![]() ISCFM8089 eq APT26M100JCU2 Boost Chopper MOSFET Power Module www.iscsemi.com 2 MOSFET ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC=25℃) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TPY MAX UNIT V(BR)DSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS= 0, ID= 250uA 1000 -- -- V IDSS Zero Gate Voltage Drain Current VDS= 1000V, VGS= 0V -- -- 100 uA IGSS Gate-Body Leakage Current VGS= ±30V, VDS= 0V -- -- ± 100 nA VGS(th) Gate Threshold Voltage VDS= VGS, ID= 2.5mA 3.0 -- 5.0 V RDS(on) Drain-Source On-Resistance VGS= 10V, ID= 18A -- -- 400 mΩ SIC DIODE ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC=25℃) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TPY MAX UNIT VRRM Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage IR= 1mA 1200 -- -- V IRM Maximum Reverse Leakage Current VR= 1200V -- -- 200 uA IF DC Forward Current TC = 100°C -- 10 -- A VF Diode Forward Voltage IF = 10A -- -- 1.8 V QC Total Capacitive Charge IF = 10A, VR = 600V, di/dt =500A/µs 88 -- nC C Total Capacitance f = 1MHz, VR = 200V -- 100 -- pF f = 1MHz, VR = 400V 70 -- pF |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |