| поискавой системы для электроныых деталей |
|
AACT808FS датащи(PDF) 2 Page - Advanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
AACT808FS датащи(HTML) 2 Page - Advanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd |
|
2 / 6 page ![]() AACT808F/10F 2 / 6 www.advsemi.com Feb,2013 -Rev.3.01 ADV Electrical Characteristics ( Tj = 25°C unless otherwise specified ) Symbol Items Conditions AACT808F/10F Unit S Blank IDRM IRRM Peak Forward Reverse Blocking Current VDRM = VRRM, Tj = 25°C Max. 10 uA VDRM = VRRM, Tj = 125°C 1.25 mA VTM Peak On-State Voltage ITM = 11A, tp = 380 μs Max. 1.55 V VGD Q1-Q2-Q3 Non−Trigger Gate Voltage VD = 2/3VDRM RL = 3.3 kΩ Tj = 125°C Min. 0.2 V VGT Q1-Q2-Q3 Gate Trigger Voltage VD = 12V ,RL = 33Ω Max. 1.5 V IGT Q1-Q2-Q3 Gate Trigger Current Max. 10 35 mA IH Q1-Q2-Q3 Holding Current IT = 0.1A Max. 25 40 mA IL Q1-Q3 Latching Current IG = 1.2 IGT Max. 25 40 mA Q2 30 55 dV/dt Critical Rate of Rise of Off-State Voltage VD = 2/3VDRM gate open Tj = 125°C Min. 600 1000 V/μs Rth(j-c) Junction to case (AC) Max. 2.5 °C/W Rth(j-a) Junction to ambient Max. 60 °C/W FIG.1:Quadrant are defined and the gate trigger test circuit V A VD RG V A VD RG V A VD RG V A VD RG RL T2+ T2- Q1(T2+G+) Q3(T2-G-) Q2(T2+G-) RL RL G+ G- |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |