| поискавой системы для электроныых деталей |
|
AACT810ES датащи(PDF) 3 Page - Advanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
AACT810ES датащи(HTML) 3 Page - Advanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd |
|
3 / 6 page ![]() AACT808E/10E 3 / 6 www.advsemi.com Feb,2013 -Rev.3.01 ADV FIG.3: Typical RMS on-state current VS Allowable case Temperature FIG.4: Maximum transient thermal impedance FIG.2: Maximum on-state power dissipation FIG.5: Rated surge on-state current ( Non-Repetitive) FIG.6: Gate trigger current VS Junction temperature 0 50 100 150 200 250 IGT(Tj)/IGT(25°C) x 100(%) 150 125 100 75 50 25 -50 0 -25 Power Dissipation(W) 10 8 6 4 2 Power Dissipation(W) 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 360° Full Cycle 0 20 40 60 80 100 120 140 160 ITSM(A),Surge On-State Current 102 10 1 f=50Hz f=60Hz f=60Hz f=60Hz f=60Hz Tj=25°C Max 0 2 4 6 8 10 R.M.S On-state Current(A) 150 120 90 60 30 0 360° Full Cycle 0.1 1 10 R th(j-c)(°C/W),Transient Thermal Impedance 101 102 103 104 105 |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |