JCS33N25CT datasheet(4/8 Pages) JSMC

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JCS33N25CT

版本：201808B

4/8

电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS

热特性 THERMAL CHARACTERISTIC

项

目

Parameter

符

号

Symbol

最大值

Value

单

位

Unit

结到管壳的热阻

Thermal Resistance, Junction to Case

Rth(j-c)

0.82

℃/W

结到环境的热阻

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Rth(j-A)

62.5

℃/W

项

目

Parameter

符

号

Symbol

测试条件

Tests conditions

最小

Min

典型

Typ

最大

Max

单位

Units

开关特性 Switching

–Characteristics

延迟时间 Turn-On delay time

td(on)

VDD=125V,

ID=33A,

VGS =10V

RG=25Ω（note 3，4）

22.2

33.3

上升时间 Turn-On rise time

141

延迟时间 Turn-Off delay time

td(off)

67.4

101

下降时间 Turn-Off Fall time

57.2

栅极电荷总量 Total Gate Charge

VDS =200V ,

ID=33A

VGS =10V（note 3，4）

46.3

栅－源电荷 Gate-Source charge

QGS

12.5

栅－漏电荷 Gate-Drain charge

QGD

漏－源二极管特性及最大额定值 Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings

正向最大连续电流

Maximum Continuous Drain-Source

Diode Forward Current

正向最大脉冲电流

Maximum Pulsed Drain-Source Diode

Forward Current

ISM

132

正向导通压降

Forward on voltage

VSD

VGS=0V, IS=33A

1.4

反向恢复时间

Reverse recovery time

trr

VGS=0V，IS=33A，

dIF/dt=100A/μs

(note 3)

232

反向恢复电荷

Reverse recovery charge

Qrr

2.06

μC

注释：

1：脉冲宽度由最高结温限制

2：L=1.30mH, IAS=33A, VDD=50V,

RG=25 Ω,起始结温

TJ=25℃

3：ISD ≤40A,di/dt ≤300A/μs,VDD≤BVDSS,起始结温 TJ=25℃

4：脉冲测试：脉冲宽度

≤300μs,占空比≤2％

5：基本与工作温度无关

Notes:

1：Pulse width limited by maximum junction temperature

2：L=1.30mH, IAS=33A, VDD=50V, RG=25 Ω,Starting

TJ=25℃

3：ISD ≤40A,di/dt ≤300A/μs,VDD≤BVDSS, Starting TJ=25℃

4：Pulse Test：

Pulse Width ≤300μs,Duty Cycle≤2％

5：Essentially independent of operating temperature

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