| поискавой системы для электроныых деталей |
|
CS0605N3A-R-A датащи(PDF) 3 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
CS0605N3A-R-A датащи(HTML) 3 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. |
|
3 / 6 page ![]() R CS0605N3A 版本:202307A 3/6 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTIC (TC=25 ℃) 项 目 Parameter 符 号 Symbol 测 试 条 件 Condition 最小 Min 典型 Typ 最大 Max 单位 Unit 峰值重复断态电流 Peak Repetitive Blocking Current IDRM VDM=VDRM, Tj=125℃, gate open - - 1.5 mA 峰值通态电压 Peak on-state voltage VTM ITM=11.3A - - 1.7 V 门极触发电流 Gate trigger current IGT VDM=12V, RL=100Ω MT1(-),MT2(+),G(+) - - 6 mA MT1(-),MT2(+),G(-) - - 6 mA MT1(+),MT2(-),G(-) - - 6 mA 门极触发电压 Gate trigger voltage VGT VDM=12V, RL=100Ω MT1(-),MT2(+),G(+) - 0.7 1.5 V MT1(-),MT2(+),G(-) - 0.7 1.5 V MT1(+),MT2(-),G(-) - 0.7 1.5 V 维持电流 Holding current IH VDM=12V, IGT=0.1A - - 10 mA 擎住电流 Latching current IL VDM=12V, IGT=0.1A MT1(-),MT2(+),G(+) - - 15 mA MT1(-),MT2(+),G(-) - - 25 mA MT1(+),MT2(-),G(-) - - 15 mA 断态临界电压上升率 Rise of off- state voltage dV/dt VDM=67% VDRM(MAX), Tj=125℃, gate open 10 - - V/μs 门 极 开 通 时 间 Gate controlled turn-on time tgt ITM=12A, VDM=VDRM(MAX), IG=0.1A, dIG/dt=5A/μS - 2 - μs 热特性 THERMAL CHARACTERISTIC 项 目 Parameter 符 号 Symbol 条 件 Condition 最小 Min 典型 Typ 最大 Max 单位 Unit 结到管壳的热阻 Thermal resistance junctiontocase Rth(j-c) full cycle 1.8 ℃/W |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |