| поискавой системы для электроныых деталей |
|
B772 датащи(PDF) 2 Page - CHANGZHOU GALAXY CENTURY MICROELECTRONICS CO.,LTD. |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
B772 датащи(HTML) 2 Page - CHANGZHOU GALAXY CENTURY MICROELECTRONICS CO.,LTD. |
|
2 / 5 page ![]() Production specification PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor B772 V/(W)023 www.gmesemi.com Rev.A 2 ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25℃ unless otherwise specified Parameter Symbol Test conditions MIN TYP MAX UNIT Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC=-100μA,IE=0 -40 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC=-10mA,IB=0 -30 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=-100μA,IC=0 -6 V Collector cut-off current ICBO VCB=-40V,IB=0 -1 μA Collector cut-off current ICEO VCB=-30V,IE=0 -1 μA Emitter cut-off current IEBO VEB=-6V,IC=0 -1 μA DC current gain hFE VCE=-2V,IC=-1A VCE=-2V,IC=-20mA 60 30 160 220 400 Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) IC=-2A, IB= -0.2A -0.3 -0.5 V Base-emitter saturation voltage VBE(sat) IC=-2A, IB= -0.2A -1.0 -2.0 V Transition frequency fT VCE=-5V, IC= -0.1A 80 MHz Collector output capacitance Cob VCB=-10V,IE=0,f=1MHz 55 pF CLASSIFICATION OF hFE Rank R O Y G Range 60-120 100-200 160-320 200-400 |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |