| поискавой системы для электроныых деталей |
|
B2M030120Z датащи(PDF) 3 Page - BASIC SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
B2M030120Z датащи(HTML) 3 Page - BASIC SEMICONDUCTOR |
|
3 / 14 page ![]() SiC MOSFET 3 / 13 www.basicsemi.com Thermal Characteritics Symbol Parameter Value Unit Min. Typ. Max. 0.33 0.45 K/W Thermal Resistance from Junction to Case R th(jc) AC Characteristics Gate Charge Characteristics Symbol Parameter Test conditions Value Unit Min. Typ. Max. 2850 153 7 1.5 pF pF pF 63 μJ Ω Input Capacitance Output Capacitance Reverse Transfer Capacitance Internal Gate Resistance C iss C oss C rss R G(int) V GS=0V, VDS=800V f =100kHz, V AC=25mV f =1MHz, V AC=25mV Symbol Parameter Test conditions Value Unit Min. Typ. Max. 41 52 115 nC nC nC Gate to Source Charge Gate to Drain Charge Total Gate Charge Q GS Q GD Q G V DS =800V I D =50A V GS=-4/+18V C oss Stored Energy E oss 197 pF Effective Output Capacitance, Energy Related C O(ER) V GS=0V, 0V < VDS < 800V 290 pF Effective Output Capacitance, Time Related C O(TR) V GS=0V, 0V < VDS < 800V B2M030120Z Rev. 0.0 |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |