 |
поискавой системы для электроныых деталей |
|
|
поискавой системы для электроныых деталей |
|
FDN308P датащи(PDF) 1 Page - EVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
FDN308P датащи(HTML) 1 Page - EVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED |
|
|
1 / 5 page  Applications Power management Load switch Battery protection D S G Absolute Maximum Ratings TA=25 oC unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VDSS Drain-Source Voltage –20 V VGSS Gate-Source Voltage ±12 V ID Drain Current – Continuous (Note 1a) –1.5 A – Pulsed –10 Maximum Power Dissipation (Note 1a) 0.5 PD (Note 1b) 0.46 W TJ, TSTG Operating and Storage Junction Temperature Range –55 to +150 °C Thermal Characteristics RθJA Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1a) 250 °C/W RθJC Thermal Resistance, Junction-to-Case (Note 1) 75 °C/W SOT–23 1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN P-Channel 2.5 V (D-S) MOSFET FDN308 Rev:2023A2 1 Features VDS (V) = -20V RDS(ON) 100m (VGS = -4.5V) RDS(ON) 120m (VGS = -2.5V) |
Аналогичный номер детали - FDN308P |
|
Аналогичное описание - FDN308P |
|
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |
Russian ▼
English
Chinese
German
Japanese
Russian
Korean
Spanish
French
Italian
Portuguese
Polish
Vietnamese
Indian
Mexican
British
New Zealand
