| поискавой системы для электроныых деталей |
|
IXFX64N60P3 датащи(PDF) 3 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
IXFX64N60P3 датащи(HTML) 3 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
3 / 8 page ![]() isc N-Channel MOSFET Transistor IXFX64N60P3 www.iscsemi.com 3 DRAIN - SOURCE BODY DIODE CHARACTERISTICS TYPICAL CHARACTERISTICS SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT ISD Continuous Source Current Tc = 25 ºC - - 64 A ISM Pulsed Source Current - - 150 VSD Diode Forward Voltage ISD= 64A, VGS= 0V - - 1.5 V trr Reverse Recovery Time VDD = 100V, IF = 50A, diF/dt = 100A /μs - 140 - ns Qrr Reverse Recovery Charge - 0.6 - uC |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |