| поискавой системы для электроныых деталей |
|
KTA1385D датащи(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
KTA1385D датащи(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 3 page ![]() Silicon PNP Power Transistor KTA1385D www.iscsemi.com 2 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC=25℃ unless otherwise specified) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT V(BR)CEO * Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= -1mA; IB= 0 -60 -- -- V V(BR)CBO * Collector-Base Breakdown Voltage IC= -10uA; IB= 0 -60 -- -- V V(BR)EBO * Emitter-Base Breakdown Voltage IC= -10uA; IB= 0 -7 -- -- V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC=-2A; IB= -0.2A -- -- -0.3 V VBE(sat) Base-Emitter Saturation voltage IC=-2A; IB= -0.2A -- -- -1.2 V ICBO Collector Cutoff Current VCB= -50V; IE= 0 -- -- -10 uA IEBO Emitter Cutoff Current VEB= -7V; IC= 0 -- -- -10 uA hFE1 DC Current Gain IC= -0.1A; VCE= -1V 60 -- -- hFE2 DC Current Gain IC=- 2A; VCE= -1V 160 -- 400 hFE3 DC Current Gain IC=- 5A; VCE= -2V 50 -- -- hFE2 Classifications O Y 160-320 200-400 |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |