| поискавой системы для электроныых деталей |
|
KTA1045D датащи(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
KTA1045D датащи(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 3 page ![]() Silicon PNP Power Transistor KTA1045D www.iscsemi.com 2 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC=25℃ unless otherwise specified) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT V(BR)CEO * Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= -1mA; IB= 0 -120 -- -- V V(BR)CBO * Collector-Base Breakdown Voltage IC= -10uA; IB= 0 -120 -- -- V V(BR)EBO * Emitter-Base Breakdown Voltage IC= -10uA; IB= 0 -5 -- -- V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC=-0.5A; IB= -0.05A -- -- -0.4 V VBE(sat) Base-Emitter Saturation voltage IC=-0.5A; IB= -0.05A -- -- -1.2 V ICBO Collector Cutoff Current VCB=- 50V; IE= 0 -- -- -1 uA IEBO Emitter Cutoff Current VEB=-4V; IC= 0 -- -- -1 uA hFE1 DC Current Gain IC= -0.05A; VCE= -5V 100 -- 320 hFE2 DC Current Gain IC=- 0.5A; VCE= -5V 20 -- -- fT Current-Gain—Bandwidth Product IC=- 1A; VCE= -5V -- 30 -- MHz COB Output Capacitance IE=0; VCB= -10V; f= 1.0MHz -- 110 -- pF hFE1 Classifications Y GR 100-200 160-320 |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |