| поискавой системы для электроныых деталей |
|
2SD1805 датащи(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SD1805 датащи(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 3 page ![]() Silicon NPN Power Transistor 2SD1805 www.iscsemi.com 2 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC=25℃ unless otherwise specified) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 3A; IB= 60mA 0.5 V VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage IC= 3A; IB= 60mA 1.5 V V(BR)CBO Collector-Base Breakdown Voltage IC= 10uA; IB= 0 60 V V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= 1mA; IB= 0 20 V V(BR)EBO Emitter-Base Breakdown Voltage IE= 10uA; IC= 0 6 V ICBO Collector Cutoff Current VCB= 50V; IE= 0 0.1 uA IEBO Emitter Cutoff Current VEB= 5V; IC= 0 0.1 uA hFE1 DC Current Gain IC= 0.5A; VCE= 2V 120 560 hFE2 DC Current Gain IC= 3A; VCE= 2V 95 COB Output Capacitance IE= 0; VCB= 10V; f= 1.0MHz 45 pF fT Current-Gain—Bandwidth Product IC= 50mA; VCE= 10V 120 MHz hFE-1 Classifications E F G 120-200 160-320 280-560 |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |