| поискавой системы для электроныых деталей |
|
IXFX32N80P датащи(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
IXFX32N80P датащи(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 3 page ![]() ISF1094 eq IXFX32N80P N-Channel MOSFET Transistor www.iscsemi.com 2 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TJ=25℃) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT V(BR)DSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS= 0, ID= 0.25mA 800 - - V IDSS Zero Gate Voltage Drain Current VDS= 800V, VGS= 0 - - 25 uA IGSS Gate-Body Leakage Current VGS= ±30V,VDS= 0 - - ± 200 nA VGS(th) Gate Threshold Voltage VDS= VGS, ID= 8mA 3.0 - 5.0 V RDS(on) Drain-Source On-Resistance VGS= 10V, ID= 16A - - 270 mΩ VSD Diode Forward Voltage ISD= 32A, VGS= 0V - - 1.5 V PACKAGE DIMENSIONS (UNIT: mm): |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |