| поискавой системы для электроныых деталей |
|
EMD29 датащи(PDF) 3 Page - Rohm |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
EMD29 датащи(HTML) 3 Page - Rohm |
|
3 / 6 page ![]() EMD29 Transistors Rev.A 3/5 Electrical characteristics (Ta=25 °C) DTr1 Parameter Symbol Min. Typ. Max. Unit Conditions Resistance ratio R2/R1 8 10 12 −− − Vl(off) − −−0.3 V VCC = −5V / Io= −100uA Output voltage Vo(on) − −60 −300 mV IO = −100mA, II= −5mA Input voltage II − −−6.4 mA VI = −5V Input current IO(off) −− −0.5 VCC = −12V / VI=0V Output current GI 140 − − VO = −2V / Io= −100mA DC current gain fT − − MHz VCE = −10V / IE=5mA, f=100MHz Transition frequency ∗ R1 0.7 1.0 1.3 k Ω Input resistance 260 µA − VI(on) −2.5 −− V VO = −0.3V / Io= −20mA ∗ Characteristics of built-in transistor. DTr2 Parameter Symbol Min. Typ. Max. Unit Conditions Resistance ratio R2/R1 0.8 1 1.2 −− − Vl(off) − − 0.5 V VCC =5V / Io=100uA Output voltage Vo(on) − 100 300 mV IO =10mA, II=0.5mA Input voltage II − − 880 µA VI =5V Input current IO(off) −− 0.5 VCC =50V / VI=0V Output current GI 30 − − VO =5V / Io=5mA DC current gain fT − − MHz VCE =10V / IE= −5mA, f=100MHz Transition frequency ∗ R1 710 13 k Ω Input resistance 250 µA − VI(on) 3 −− V VO =0.3V / Io=2mA ∗ Characteristics of built-in transistor. |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |