| поискавой системы для электроныых деталей |
|
NJD35N04G датащи(PDF) 3 Page - ON Semiconductor |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
NJD35N04G датащи(HTML) 3 Page - ON Semiconductor |
|
3 / 4 page ![]() NJD35N04G http://onsemi.com 3 TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C 125 °C 10,000 0.1 1.0 10 IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) VCE = 2 V 1000 100 10 4.0 0.1 1.0 10 IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) Ic/Ib = 100 3.0 2.5 1.0 0.5 0 20 50 10 30 50 170 T, TEMPERATURE ( °C) 0 Figure 2. Power Derating Figure 3. DC Current Gain Figure 4. Collector−Emitter Saturation Voltage Figure 5. Base−Emitter Saturation Voltage TC 25 °C 125 °C 2.4 0.1 1.0 10 IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) 2.0 1.6 1.2 0.8 0 0.4 2.0 0.1 1.0 10 IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) 1.6 0.8 1.2 0.4 Figure 6. Base−Emitter Voltage Figure 7. Forward Bias Safe Operating Area (FBSOA) 10 10 100 1000 VCE, COLLECTOR−EMITTER VOLTAGE (V) 1.0 0.1 0.01 70 90 110 130 150 15 45 10 40 5.0 35 30 25 2.0 1.5 3.5 25 °C 125 °C Ic/Ib = 100 25 °C 125 °C 300 mS 1 mS 10 mS DC 100 mS VCE = 2 V |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |