| поискавой системы для электроныых деталей |
|
TZ810N22KOF датащи(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
TZ810N22KOF датащи(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 4 page ![]() ISTM4001 eq TZ810N22KOF Thyristor Module www.iscsemi.com 2023-9-25 2 ELECTRICAL CHARACTERISTICS(TC=25℃ UNLESS OTHERWISE SPECIFIED) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT VT on-state voltage Tvj = Tvj max , iT = 1200 A -- -- 3.43 V V(TO) threshold voltage Tvj = Tvj max -- -- 1.17 V rT slope resistance Tvj = Tvj max -- -- 1.7 mΩ IGT gate trigger current VD = 6 V -- -- 250 mA VGT gate trigger voltage VD = 6 V -- -- 1.5 V IGD gate non-trigger current VD = 6 V -- -- 10 mA IGD gate non-trigger current VD = 0.5 VDRM -- -- 5 mA VGD gate non-trigger voltage VD = 0.5 VDRM -- -- 0.2 V IH holding current VD = 6 V,RA=5Ω -- -- 300 mA IL latching current VD = 6 V,RA≥10Ω -- -- 1500 mA iD, iR forward off-state and reverse current VD = VDRM,VR = VRRM -- -- 250 mA tgd gate controlled delay time iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs -- -- 4.5 us |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |