| поискавой системы для электроныых деталей |
|
BUT12AF датащи(PDF) 5 Page - NXP Semiconductors |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
BUT12AF датащи(HTML) 5 Page - NXP Semiconductors |
|
5 / 12 page ![]() 1997 Aug 13 4 Philips Semiconductors Product specification Silicon diffused power transistors BUT12F; BUT12AF Fig.2 Forward bias SOAR. Tmb <25 °C. I - Region of permissible DC operation. II - Permissible extension for repetitive pulse operation. handbook, full pagewidth MGB935 1 10 1102 103 104 I VCE (V) 10 10−1 102 10−2 10−4 10−3 IC (A) ICM max IC max II BUT12F BUT12AF DC |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |