| поискавой системы для электроныых деталей |
|
2SC3355 датащи(PDF) 1 Page - Unisonic Technologies |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SC3355 датащи(HTML) 1 Page - Unisonic Technologies |
|
1 / 3 page ![]() UTC 2SC3355 NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR UTC UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD. 1 QW-R201-036,A HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER FEATURES *Low Noise and High Gain *High Power Gain TO-92 1 1: BASE 2: EMITTER 3: COLLECTOR ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25°C, unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL RATING UNIT Collector-base voltage VCBO 20 V Collector-emitter voltage VCEO 12 V Emitter-base voltage VEBO 3 V Collector current Ic 100 mA Total power dissipation PT 600 mW Junction Temperature Tj 150 °C Storage Temperature Tstg -65 ~ +150 °C ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25°C, unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL TEST CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT Collector Cutoff Current ICBO VCB=10V, IE=0 1.0 µA Emitter Cutoff Current IEBO VEB=1V, IC=0 1.0 µA DC Current Gain hFE VCE=10V, IC=20mA 50 300 Gain bandwidth Product fT VCE=10V, IC=20mA 7 GHz Feed-Back Capacitance Cre VCB=10V, IE=0, f=1.0MHz 1.0 pF Noise Figure NF VCE=10V, IC=7mA, f=1.0GHz 1.1 dB |
Аналогичный номер детали - 2SC3355 |
|
Аналогичное описание - 2SC3355 |
|
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |