 |
поискавой системы для электроныых деталей |
|
|
поискавой системы для электроныых деталей |
|
IPT60R080G7 датащи(PDF) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
IPT60R080G7 датащи(HTML) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
1 / 3 page  isc N-Channel MOSFET Transistor IPT60R080G7 www.iscsemi.com 2023-8-29 11 DESCRIPTION · Drain Current –ID=29A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage- VDSS= 650V(Min) APPLICATIONS · Synchronous Rectification in SMPS · Switching converters,motor driver,relay driver · Power Tools · UPS · Motor Control ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TC=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VDSS Drain-Source Voltage (VGS=0) 650 V VGS Gate-Source Voltage ± 20 V ID Drain Current-continuous@ TC=25℃ 29 A IDM Pulsed drain current @ TC=25℃ 93 A EAS Avalanche Energy, Single Pulse ,L=0.4mH, TC=25℃ 97 mJ PD Power Dissipation ,TC=25℃ 167 W Tj Max. Operating Junction Temperature 150 ℃ Tstg Storage Temperature Range -55~150 ℃ THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL PARAMETER MAX UNIT Rth j-c Thermal Resistance,Junction to Case 0.75 ℃ /W |
Аналогичный номер детали - IPT60R080G7 |
|
Аналогичное описание - IPT60R080G7 |
|
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |
Russian ▼
English
Chinese
German
Japanese
Russian
Korean
Spanish
French
Italian
Portuguese
Polish
Vietnamese
Indian
Mexican
British
New Zealand
