| поискавой системы для электроныых деталей |
|
STS01DTP06 датащи(PDF) 5 Page - STMicroelectronics |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
STS01DTP06 датащи(HTML) 5 Page - STMicroelectronics |
|
5 / 11 page ![]() STS01DTP06 5/11 2.1 Electrical characteristics (curve) VBE(sat) (1) Base-emitter saturation voltage IC = -1A IB = -10mA -0.85 -1.1 V hFE (1) DC current gain IC = -1A VCE = -2V IC = -3A VCE = -2V 100 30 1. Pulsed: Pulse duration = 300 ms, duty cycle ≤ 1.5 % Table 4. Q2-PNP transistor electrical characteristics Symbol Parameter Test Conditions Min. Typ. Max. Unit Figure 1. Reverse biased area Q1 NPN transistor Figure 2. DC current gain Q1 NPN transistor Figure 3. DC current gain Q1 NPN transistor Figure 4. Collector-emitter saturation voltage Q1 NPN transistor |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |