| поискавой системы для электроныых деталей |
|
PMPB100ENE датащи(PDF) 4 Page - Nexperia B.V. All rights reserved |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
PMPB100ENE датащи(HTML) 4 Page - Nexperia B.V. All rights reserved |
|
4 / 15 page ![]() Nexperia PMPB100ENE 30 V, N-channel MOSFET aaa-026680 VDS (V) 10-1 102 10 1 102 ID (A) 10-2 10-1 1 10 DC; Tsp = 25 °C DC; Tamb = 25 °C; 6 cm2 tp = 10 µs 100 µs 1 ms 10 ms 100 ms Limit RDSon = VDS/ID Fig. 3. Safe operating area; junction to ambient; continuous and peak drain currents as a function of drain- source voltage PMPB100ENE All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © Nexperia B.V. 2018. All rights reserved Product data sheet 26 April 2018 4 / 15 |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |