| поискавой системы для электроныых деталей |
|
BU508DF датащи(PDF) 3 Page - NXP Semiconductors |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
BU508DF датащи(HTML) 3 Page - NXP Semiconductors |
|
3 / 7 page ![]() Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU508DF Fig.1. Switching times waveforms. Fig.2. Switching times definitions. Fig.3. Switching times test circuit Fig.4. Typical DC current gain. h FE = f (IC) parameter V CE IC IB VCE ICsat IBend 64us 26us 20us t t t TRANSISTOR DIODE + 150 v nominal adjust for ICsat 1mH 12nF D.U.T. LB IBend -VBB ICsat 90 % 10 % tf ts IBend IC IB t t - IBM 0.1 1 10 1 10 100 IC/A h FE BU508AD July 1998 3 Rev 1.200 |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |