| поискавой системы для электроныых деталей |
|
BUV298V датащи(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
BUV298V датащи(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 3 page ![]() isc website: www.iscsemi.com isc & iscsemi is registered trademark 2 isc Silicon NPN Power Transistor BUV298V ELECTRICAL CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-Emitter Sustaining Voltage IC=10mA, IB=0 450 V ICBO Collector Cutoff Current VCB= 800V; IB=0 0.2 mA IEBO Emitter Cutoff Current VEB= 5V; IC= 0 1 mA hFE DC Current Gain IC= 32A; VCE= 5V 10 30 VCE(sat)* Collector-Emitter Saturation Voltage IC=32A; IB= 6.4A 1.2 V VBE(sat)* Base-Emitter Saturation Voltage IC= 32A; IB=6.4A 1.5 V * Pulse duration = 300 µs, duty cycle ≤ 1.5% |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |