| поискавой системы для электроныых деталей |
|
STD10P6F6 датащи(PDF) 7 Page - STMicroelectronics |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
STD10P6F6 датащи(HTML) 7 Page - STMicroelectronics |
|
7 / 24 page ![]() DocID022967 Rev 5 7/24 STD10P6F6, STF10P6F6, STP10P6F6, STU10P6F6 Electrical characteristics 24 Figure 8. Gate charge vs gate-source voltage Figure 9. Static drain-source on-resistance VGS 6 4 2 0 0 2 Qg(nC) (V) 8 4 6 10 VDD=30V ID=10A AM15341v2 RDS(on) 140 120 100 1 4 ID(A) (m Ω) 2 6 160 180 8 3 57 9 VGS=10V AM15350v1 Figure 10. Capacitance variations Figure 11. Normalized V(BR)DSS vs temperature C 150 100 50 0 0 20 VDS(V) (pF) 10 30 Ciss Coss Crss 40 50 200 250 300 350 400 AM15342v1 V(BR)DSS -55 -5 TJ(°C) (norm) -30 70 20 45 95 0.90 0.95 1 1.05 1.10 1.15 ID = 1mA 120 AM15349v1 Figure 12. Normalized gate threshold voltage vs temperature Figure 13. Normalized on-resistance vs temperature VGS(th) 0.90 0.80 0.70 0.60 -55 -5 TJ(°C) (norm) -30 1 70 20 45 95 120 1.10 ID=250 µA AM15344v1 RDS(on) 1 0.8 0.6 0.4 -55 -5 TJ(°C) -30 20 1.2 1.4 VGS=10V 45 70 95 120 1.6 1.8 2 (norm) AM15350v1 |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |