| поискавой системы для электроныых деталей |
|
IPT012N08N5 датащи(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
IPT012N08N5 датащи(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 3 page ![]() isc website:www.iscsemi.com isc & iscsemi is registered trademark 2023-05-25 2 isc N-Channel MOSFET Transistor IPT012N08N5 · ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC=25℃) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYPE MAX UNIT V(BR)DSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0; ID=250µA 80 - - V VGS(TH) Gate Threshold Voltage VDS= VGS; ID=250µA 2 - 4 V RDS(ON) Drain-Source On-stage Resistance VGS=10V; ID=150A - - 1.2 mΩ IGSS Gate Source Leakage Current VGS=±20V;VDS=0 - - ± 100 nA IDSS Zero Gate Voltage Drain Current VDS=80V; VGS=0 - - 1 uA VSD Diode Forward Voltage IS=150A; VGS=0 - - 1.2 V Package Outlines |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |