| поискавой системы для электроныых деталей |
|
BF992 датащи(PDF) 3 Page - NXP Semiconductors |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
BF992 датащи(HTML) 3 Page - NXP Semiconductors |
|
3 / 12 page ![]() 1999 Aug 11 3 Philips Semiconductors Product specification Silicon N-channel dual gate MOS-FET BF992 LIMITING VALUES In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134). Note 1. Device mounted on a ceramic substrate, 8 mm × 10 mm × 0.7 mm. SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. MAX. UNIT VDS drain-source voltage − 20 V ID drain current − 40 mA IG1 gate 1 current −±10 mA IG2 gate 2 current −±10 mA Ptot total power dissipation Tamb ≤ 60 °C; see Fig.2; note 1 − 200 mW Tstg storage temperature −65 +150 °C Tj operating junction temperature − 150 °C Fig.2 Power derating curves. handbook, halfpage 0 100 0 200 100 200 (mW) Ptot max MBL033 Tamb ( C) o |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |