 |
поискавой системы для электроныых деталей |
|
|
поискавой системы для электроныых деталей |
|
APT55-101DN датащи(PDF) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
APT55-101DN датащи(HTML) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
1 / 2 page  isc website：www.iscsemi.cn isc & iscsemi is registered trademark 1 isc N-Channel MOSFET Transistor APT55-101DN DESCRIPTION · Drain Current :ID= 17.5A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage : VDSS= 550V(Min) · 100% avalanche tested · Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS · high voltage, high speed power switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL ARAMETER VALUE UNIT VDSS Drain-Source Voltage (VGS=0) 550 V VGS Gate-Source Voltage ± 30 V ID Drain Current-continuous@ TC=25℃ 17.5 A IDM Drain Current-Single Pluse 70 A Ptot Total Dissipation@TC=25℃ 295 W Tj Max. Operating Junction Temperature -55~150 ℃ Tstg Storage Temperature Range -55~150 ℃ THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL PARAMETER MAX UNIT Rth j-c Thermal Resistance,Junction to Case 0.42 ℃ /W |
Аналогичный номер детали - APT55-101DN |
|
Аналогичное описание - APT55-101DN |
|
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |
Russian ▼
English
Chinese
German
Japanese
Russian
Korean
Spanish
French
Italian
Portuguese
Polish
Vietnamese
Indian
Mexican
British
New Zealand
