F 0118G

GaAs-Infrarot-Lumineszenzdiode (950 nm, Enhanced Power)

GaAs Infrared Emitting Diode (950 nm, Enhanced Power)

Vorläufige Daten / Preliminary Data

2003-04-10

1

Wesentliche Merkmale

• Typ. Gesamtleistung: 24 mW @ 100 mA im

TOPLED

® Gehäuse

• Chipgröße 300 x 300

µm2

• Emissionswellenlänge: 950 nm

• GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad

• Gute Linearität (I

e = f [IF]) bei hohen Strömen

• Gleichstrom- oder Impulsbetrieb möglich

• Hohe Zuverlässigkeit

• Hohe Impulsbelastbarkeit

Anwendungen

•

I

IR-Fernsteuerung von Fernseh-, Rundfunk-

und Videogeräten, Lichtdimmern

• Gerätefernsteuerungen für Gleich- und

Wechsellichtbetrieb

• Lichtschranken bis 500 kHz

• Sensorik

Typ

Type

Bestellnummer

Ordering Code

Beschreibung

Description

F 0118G

Q65110A0136

Infrarot emittierender Chip, Oberseite Anodenanschluß,

Infrared emitting die, top side anode connection

Features

• Typ. total radiant power: 24 mW @ 100 mA in

TOPLED

® package.

• Chip size 300 x 300

µm2

• Peak wavelength: 950 nm

• Very highly efficient GaAs LED

• Good linearity (I

e = f [IF]) at high currents

• DC or pulsed operations are possible

• High reliability

• High pulse handling capability

Applications

• IR remote control for hifi and TV sets, video

tape recorder, dimmers

• Remote control for steady and varying

intensity

• Light-reflection switches (max. 500 kHz)

• Sensor technology