| поискавой системы для электроныых деталей |
|
RJP4013ASP датащи(PDF) 2 Page - Renesas Technology Corp |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
RJP4013ASP датащи(HTML) 2 Page - Renesas Technology Corp |
|
2 / 5 page ![]() RJP4013ASP Preliminary R07DS1008EJ0200 Rev.2.00 Page 2 of 4 Mar 27, 2013 Electrical Characteristics (Tj = 25°C) Parameter Symbol Min. Typ. Max. Unit Test conditions Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CES 450 — — V IC = 1 mA, VGE = 0 V Collector-emitter leakage current ICES — — 10 A VCE = 400 V, VGE = 0 V Gate-emitter leakage current IGES — — 10 A VGE = 6 V, VCE = 0 V Gate-emitter threshold voltage VGE(th) 0.5 0.8 1.5 V VCE = 10 V, IC = 1 mA Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) — 4.5 8 V VGE = 4 V, IC = 150 A Fall time tf — 0.5 — s IC = 20 A, VCC = 300 V, VGE = 5 V, RG = 30 Resistive loads Performance Curves Maximum Pulse Collector Current (Conductive Capability in Strobe Flash Circuit) Gate - Emitter Voltage VGE (V) 0 50 100 200 150 01 2 3 4 8 7 6 5 Tc = 70°C CM = 400µF |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |