| поискавой системы для электроныых деталей |
|
BAT86 датащи(PDF) 3 Page - NXP Semiconductors |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
BAT86 датащи(HTML) 3 Page - NXP Semiconductors |
|
3 / 6 page ![]() 1996 Mar 20 3 Philips Semiconductors Product specification Schottky barrier diode BAT86 ELECTRICAL CHARACTERISTICS Tamb =25 °C unless otherwise specified. Note 1. Pulsed test: tp = 300 µs; δ = 0.02. THERMAL CHARACTERISTICS Note 1. Refer to SOD68 standard mounting conditions. SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MAX. UNIT VF forward voltage see Fig.3 IF = 0.1 mA 300 mV IF =1mA 380 mV IF =10mA 450 mV IF =30mA 600 mV IF = 100 mA 900 mV IR reverse current VR = 40V; see Fig.4; note 1 5 µA trr reverse recovery time when switched from IF = 10 mA to IR = 10 mA; RL = 100 Ω; measured at IR = 1 mA; see Fig.6 4ns Cd diode capacitance f = 1 MHz; VR = 1 V; see Fig.5 8pF SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT Rth j-a thermal resistance from junction to ambient note 1 320 K/W |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |