| поискавой системы для электроныых деталей |
|
BAT720 датащи(PDF) 3 Page - NXP Semiconductors |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
BAT720 датащи(HTML) 3 Page - NXP Semiconductors |
|
3 / 8 page ![]() 1999 May 26 3 Philips Semiconductors Product specification Schottky barrier diode BAT720 ELECTRICAL CHARACTERISTICS Tj =25 °C unless otherwise specified. THERMAL CHARACTERISTICS Note 1. Refer to SOT23 standard mounting conditions. SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. MAX. UNIT VF forward voltage IF = 500 mA; see Fig.2 − 550 mV IR reverse current VR = 35 V; see Fig.3 − 100 µA VR =35V;Tj = 100 °C; see Fig.3 − 10 mA Cd diode capacitance f = 1 MHz; VR = 0; see Fig.4 60 90 pF SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT Rth j-a thermal resistance from junction to ambient note 1 500 K/W |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |