| поискавой системы для электроныых деталей |
|
FDB33N25 датащи(PDF) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
FDB33N25 датащи(HTML) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
1 / 2 page ![]() isc website:www.iscsemi.cn isc & iscsemi is registered trademark 1 isc N-Channel MOSFET Transistor FDB33N25 FEATURES · Drain Current : ID= 33A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage : VDSS= 250V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 94mΩ(Max) @ VGS= 10V · 100% avalanche tested · Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION · motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. · ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VDSS Drain-Source Voltage 250 V VGSS Gate-Source Voltage ± 30 V ID Drain Current-Continuous;@Tc=25℃ 33 A IDM Drain Current-Single Pulsed 132 A PD Total Dissipation 235 W Tj Operating Junction Temperature -55~150 ℃ Tstg Storage Temperature -55~150 ℃ · THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL PARAMETER MAX UNIT Rth(ch-c) Channel-to-case thermal resistance 0.53 ℃ /W |
Аналогичный номер детали - FDB33N25 |
|
Аналогичное описание - FDB33N25 |
|
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |