| поискавой системы для электроныых деталей |
|
SB70 датащи(PDF) 3 Page - NXP Semiconductors |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
SB70 датащи(HTML) 3 Page - NXP Semiconductors |
|
3 / 8 page ![]() 1998 Jul 16 3 Philips Semiconductors Product specification Schottky barrier diode 1PS76SB70 ELECTRICAL CHARACTERISTICS Tamb =25 °C unless otherwise specified. Note 1. Pulsed test: tp = 300 µs; δ = 0.02. THERMAL CHARACTERISTICS Note 1. Refer to SOD323 standard mounting conditions. SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MAX. UNIT VF continuous forward voltage see Fig.2 IF = 1 mA 410 mV IF = 10 mA 750 mV IF =15mA 1 V IR continuous reverse current VR = 50 V; note 1; see Fig.3 100 nA VR = 70 V; note 1; see Fig.3 10 µA Cd diode capacitance VR = 0 ; f = 1 MHz; see Fig.5 2 pF SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT Rth j-a thermal resistance from junction to ambient note 1 450 K/W |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |