DI2579N

Characteristics

Kennwerte

Tj = 25°C

Min.

Typ.

Max.

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis

IC = 350 mA

IC = 1000 mA

VCE = 5 V

1

)

hFE

15

4

20

–

30

–

Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

IC = 350 mA

IB = 50 mA

1

)

VCEsat

–

–

1 V

Base-Emitter-voltage – Basis-Emitter-Spannung

IC = 350 mA

IB = 50 mA

1

)

VBEsat

–

–

1 V

Collector-Emitter cutoff current – Kollektor-Basis-Reststrom

VCB = 700 V

B-E short

ICES

–

–

1 mA

Switching times – Schaltzeiten

IC = 100 mA

resistive load

tr

ts

–

1.5 µs

–

0.1 µs

2.9 µs

Typical thermal resistance junction to ambient

Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung

RthA

80 K/W 2)

Dimensions – Maße [mm]

Disclaimer: See data book page 2 or website

Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet

1

Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%

2

Mounted on P.C. board with 100 mm2 copper pad at the collector terminal

Montage auf Leiterplatte mit 100 mm2 Kupferbelag (Lötpad) am Kollektor-Anschluss

2

http://www.diotec.com/

© Diotec Semiconductor AG

[%]

P

tot

120

100

80

60

40

20

0

[°C]

T

A

150

100

50

0

Power dissipation versus ambient temperature )

Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. )

1

1