| поискавой системы для электроныых деталей |
|
AP1266 датащи(PDF) 1 Page - Advanced Semiconductor |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
AP1266 датащи(HTML) 1 Page - Advanced Semiconductor |
|
|
1 / 1 page ![]() A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C. REV. A 7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1202 • FAX (818) 765-3004 1/1 Specifications are subject to change without notice. CHARACTERISTICS TC = 25 OC NONE SYMBOL TEST CONDITIONS MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS VB IR = 10 µA 200 V CT V = 50 V f = 1.0 MHz 1.5 pF RS IF = 50 mA f = 100 MHz 0.6 Ohms TL IF = 10 mA IR = 6.0 mA 3.0 µµµµS I-REGION I-REGION WIDTH 3.0 mS SILICON PIN DIODE AP1266 DESCRIPTION: The AP1266 is a Passivated Epitaxial Silicon PIN Diode in a Hermetically Sealed Glass Package Designed for Large Signal Switches. MAXIMUM RATINGS I 100 mA V 200 V PDISS 1.0 W @ TC = 25 OC TJ -65 OC to +175 OC TSTG -65 OC to +175 OC TSOLD 200 OC PACKAGE STYLE -11 |
Аналогичный номер детали - AP1266 |
|
Аналогичное описание - AP1266 |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |