 |
поискавой системы для электроныых деталей |
|
|
поискавой системы для электроныых деталей |
|
2SCR586JFRG датащи(PDF) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SCR586JFRG датащи(HTML) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
1 / 2 page  isc Website：www.iscsemi.com isc & iscsemi is registered trademark 1 isc Silicon NPN Power Transistor 2SCR586JFRG DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO = 80V(Min) · High DC Current Gain- : hFE= 120-390@IC= 0.5A · Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS · Designed for use in general-purpose amplifier and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage 80 V VCEO Collector-Emitter Voltage 80 V VEBO Emitter-Base Voltage 6 V IC Collector Current-Continuous 5 A PC Collector Power Dissipation @ TC=25℃ 40 W TJ Junction Temperature 150 ℃ Tstg Storage Temperature Range -55~150 ℃ THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL PARAMETER MAX UNIT Rth j-c Thermal Resistance,Junction to Case 3.125 ℃ /W |
Аналогичный номер детали - 2SCR586JFRG |
|
Аналогичное описание - 2SCR586JFRG |
|
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |
Russian ▼
English
Chinese
German
Japanese
Russian
Korean
Spanish
French
Italian
Portuguese
Polish
Vietnamese
Indian
Mexican
British
New Zealand
