| поискавой системы для электроныых деталей |
|
TLHB4200 датащи(PDF) 2 Page - Vishay Siliconix |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
TLHB4200 датащи(HTML) 2 Page - Vishay Siliconix |
|
2 / 5 page ![]() www.vishay.com 2 Document Number 83014 Rev. 1.5, 17-Sep-07 Vishay Semiconductors TLHB420. Note: 1) T amb = 25 °C, unless otherwise specified 2) in one packing unit I Vmin/IVmax ≤ 0.5 TYPICAL CHARACTERISTICS Tamb = 25 °C, unless otherwise specified OPTICAL AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS1) BLUE PARAMETER TEST CONDITION PART SYMBOL MIN TYP. MAX UNIT Luminous intensity 2) IF = 20 mA TLHB4200 IV 25 50 mcd TLHB4201 IV 40 132 mcd Dominant wavelength IF = 10 mA λ d 466 nm Peak wavelength IF = 10 mA λ p 428 nm Angle of half intensity IF = 10 mA ϕ ± 22 deg Forward voltage IF = 20 mA VF 3.9 4.5 V Reverse voltage IR = 10 μAVR 5V Figure 1. Power Dissipation vs. Ambient Temperature Figure 2. Forward Current vs. Ambient Temperature for InGaN 100 80 60 40 0 25 50 75 100 125 Tamb - Ambient Temperature (°C) 95 10904 20 0 0 10 20 30 40 60 15884 50 Tamb - Ambient Temperature (°C) 100 80 60 40 20 0 Figure 3. Rel. Luminous Intensity vs. Angular Displacement Figure 4. Forward Current vs. Forward Voltage 0.4 0.2 0 0.2 0.4 0.6 95 10041 0.6 0.9 0.8 0° 30° 10° 20° 40° 50° 60° 70° 80° 0.7 1.0 1 10 100 V F - Forward Voltage (V) 15846 02 4 6 8 13 57 |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |