| поискавой системы для электроныых деталей |
|
ISCP281N датащи(PDF) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
ISCP281N датащи(HTML) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
1 / 2 page ![]() isc website: www.iscsemi.com isc & iscsemi is registered trademark 1 isc Silicon PNP Power Transistor ISCP281N DESCRIPTION · Low Collector Saturation Voltage : VCE(sat)= -1.0V(Max)@ IC= -8A · Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= -250V (Min) · Complement to Type ISCN280N · Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS · Signal transistors for audio amplifiers · Audio market ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage -400 V VCEO Collector-Emitter Voltage -250 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Current-Continuous -16 A IB Base Current-Continuous -5 A PC Collector Power Dissipation @ TC=25℃ 200 W TJ Junction Temperature -65~150 ℃ Tstg Storage Temperature Range -65~150 ℃ |
Аналогичный номер детали - ISCP281N |
|
Аналогичное описание - ISCP281N |
|
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |