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HM5906 датащи(PDF) 4 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd |
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HM5906 датащи(HTML) 4 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd |
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4 / 6 page ![]() 4 应用说明 1、充电、升压使能 HM5906 的充电功能在有 5V 电源输入的情况下自动开 启,拔掉电源则停止工作。在 5V 电源输入的情况下(即 工作在充电模式 ),升压功能被禁止。没有 5V 电源输入, 则可以通过控制 EN 脚来控制升压工作,EN 为高,升 压输出 5V。 2、充电状态指示 HM5906 有一个漏极开路的输出驱动端口CHG ______ ,在充 电过程当中, CHG ______ 下拉,红灯亮;当充电电流下降到转 灯电流, CHG ______ 为高阻态,红灯熄灭。请注意 CHG ______ 只有下 拉能力,如果不需要红灯指示,则需要外接一个 10K 左 右电阻到电源。 3、电池充饱状态检测 HM5906 判断电池是否充饱需要两个条件,一是电池 电压高于 4.1V, 二是充 电电 流小于 设定的 充饱电 流 . HM5906 会检测充电电流,当电池电压高于 4.1V, 充电电流下降到低于充饱电流时,芯片给出充电完成 (EOC)信号,CHG ______ 为高、红灯熄灭指示电池充电完成。 4、电流检测电阻选择 HM5906 的充电、升压共同使用一个电阻 RSNS 检测电 流, RSNS 越大则检测电流精度越高,同时会降低充电、 升压效率,因此建议取值 25mΩ(两个 50mΩ并联)或者 20mΩ。同时电阻的封装要考虑到实际承受功率。 5、恒流充电电流设置 HM5906 的恒流充电电流由 ISET 管脚电阻 RISET 和检 流电阻 RSNS 共同决定,RSNS 由于连接功率通路,不能 随意取值,所以一般通过设置 RISET 来设置恒流充电电 流。 RISET 与恒流充电电流之间为线形反比关系,公式 如下: SNS ISET ISET CHG R R K I 其中 KISET 为常数 ,典型 情况下 KISET=960. 假如 RISET=24K,RSNS=25mΩ,则可以计算得到恒流充电电 流 ICHG=1.6A. 6、电池充饱电压调整 通过 VTRIM 外接电阻到地可以调整基准电压,从而上 调电池充饱电压 (如图 3)。假设充饱电压为 VF, 如果需 要调整 VF 到(VF+V), 需要在管脚 VTRIM 和 GND 之 间接入电阻 R, R 可以按下式近似计算: V K 28 . 33 R 图 3. 充饱电压调整示意图 7、充电环路稳定性补偿 HM5906 通过 COMP1 管脚补偿充电环路,COMP1 管 脚外接一个 470nF 电容到地即可保证环路稳定。 8、升压环路稳定性补偿 HM5906 通过 COMP2 管脚补偿升压环路,COMP2 接 10K 电阻串联 4.7nF 的电容到地,如图 1 所示。 9、功率管选择 如图 1 所示,上端 Q3 为 PMOS,下端 Q1 为 NMOS, 由于电池电压范围在 3V 到 4.35V 之间,芯片工作在低 电压模式,因此建议选择低阈值电压的功率 MOS 管, NMOS 可选择 8205(SOT23-6 封装,双 NMOS),PMOS 可选择 2301、3401 等。 在负载较重的情况下,比如 3A 升压输出,MOS 管的导 通阻抗将极大地影响升压效率,因此建议在输出负载较 重或者发现升压效率不够的情况,选择 SOP-8 封装的功 率 MOS。 10、升压输出电容选择 理论上升压输出端的电容越大越好,但是考虑到整体 PCBA 成本,建议输出端加 2 个 22uF 的贴片电容。如 果成本要求更低,建议升压输出电容做到 20uF。 11、升压限流 HM5906 通过 ILIM 管脚外接电阻进行升压限流设置。 ILIM 外接电阻越大则 VILIM 越高,则升压限流值越大。 HM5906 的限流原理是当 RSNS 上的电流超过设定值 时,关掉 Q1(图 1 所示),所以实际上是通过限制电池输 出电流达到限制升压输出电流的目的。因此,设定电流 Shenzhen H&M Semiconductor Co.Ltd http://www.hmsemi.com HM5906 |
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