HM4067 datasheet(4/11 Pages) HMSEMI

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Rev 1.1

电气特性:

（

VCC=15V，TA=－40℃ 到 85℃，除非另有注明）

参数

符号

测试条件

最小

典型

最大

单位

输入电压范围

VCC

7.5

低电压锁存阈值

UVLO

4.2

7. 3

芯片工作电流

IVCC

VBAT ﹥VREG

1.2

1.7

2.2

FB 管脚反馈电压

VFB

FB 管脚电压，过充电模式

3.6

FB 管脚电压温度系数

TCFB

FB 管脚电压，过充电模式

3.5mV

／℃

FB 管脚偏置电流

IFB

VFB＝4V

260

电流检测电压

(VCSP－VBAT)

VCS

VBAT＞81.8%×VOC (注 1)

165

17 5

18 5

VBAT＜81.8%×VOC (注 1)

流入

BAT 管脚电流

IBAT

VBAT＝12V

涓流充电阈值

VPRE

FB管脚电压上升

81.8%

VOC

(注 1)

浮充电调制电压

VFLOAT

浮充电模式

93.1%

再充电阈值

VRE

FB管脚电压下降

81.8%

过压阈值

Vov

电池端电压上升

1.06

1.08

1.1

过压释放阈值

Vclr

电池端电压下降

0.98

1.02

TEMP 管脚

上拉电流

Iup

比较器高端阈值

Vthh

TEMP 管脚电压上升

1.57

1. 61

1. 65

比较器低端阈值

Vthl

TEMP 管脚电压下降

0.145 0.1 75

0.205

CHRG 管脚

CHRG管脚下拉电流

ICHRG

VCHRG=1V，恒流充电模式

CHRG管脚漏电流

ILK1

VCHRG=25V，浮充电模式

DONE 管脚

管脚下拉电流

IDONE

VDONE=1V，浮充电模式

管脚漏电流

ILK2

VDONE=25V，恒流充电模式

振荡器

频率

fosc

240

300

360

kHZ

最大占空比

Dmax

睡眠模式

睡眠模式阈值

(测量VCC－VBAT)

VSLP

CC falling

VBAT=8V

0.06

0. 1

0. 14

VBAT=12V

0.1

0. 14

0. 18

VBAT=18V

0.18

0. 23

0. 28

睡眠模式释放阈值

(测量VCC－VBAT)

VSLPR

VCC rising,

VBAT=8V

0.26

0. 32

0. 39

VBAT=12V

0.32

0. 42

0. 52

VBAT=18V

0.38

0. 47

0. 58

DRV 管脚

VDRV 高电平(VCC－VDRV)

IDRV＝－10mA

VDRV 低电平(VCC－VDRV)

IDRV＝0mA

6 .5

上升时间

Cload＝2nF, 10% to 90%

4 0

6 5

下降时间

Cload＝2nF, 90% to 10%

4 0

6 5

Shenzhen H&M Semiconductor Co.Ltd

http：//www.hmsemi.com

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