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PDM1102H датащи(PDF) 1 Page - Nihon Inter Electronics Corporation |
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1 / 3 page  1 MOSFET 110A 250V PDM1102H P2HM1102H 耐 圧・クラス Grade 項 目 Rating 記 号 Symbol PDM1102H / P2HM1102H 単位 Unit 250 ドレイン・ソース間電圧 Drain-Source Voltage VDSS VGS=0V V ゲート・ソース間電圧 Gate-Source Voltage VGSS ±20 V Duty=50% 110（Ｔc=25℃） ドレイン電流（連続） Continuous Drain Current D.C. ID 80（Ｔc=25℃） A パルスドレイン電流 Pulsed Drain Current IDM 220（Ｔc=25℃） A 全損失 Total Power Dissipation PD 420（Ｔc=25℃） W 動作接合温度範囲 Operating Junction Temperature Range Tjw −40∼+150℃ ℃ 保存温度範囲 Storage Temperature Range Tstg −40∼+125℃ ℃ 2000 絶縁耐圧 RMS Isolation Voltage Viso 端子 - ベース間,AC1 分間 Terminals to Base, AC 1 min . V 3.0（本体取付 Module Base to Heat sink） 締付トルク Mounting Torque Ftor 2.0（ネジ端子部 Bus bar to Main Terminals） N・m PDM1102H PDM1102H PDM1102H PDM1102H P2HM110 P2HM110 P2HM110 P2HM1102H 2H 2H 2H 質量 Approximate Weight :220g 質量 Approximate Weight :220g ■最大定格 最大定格 最大定格 最大定格 Maximum Ratings 108.0 108.0 |
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