 |
поискавой системы для электроныых деталей |
|
|
поискавой системы для электроныых деталей |
|
ISCNH249P датащи(PDF) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
ISCNH249P датащи(HTML) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
1 / 2 page  isc website：www.iscsemi.com isc & iscsemi is registered trademark 1 isc N-Channel MOSFET Transistor ISCNH249P DESCRIPTION · Drain Current ID= 4A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage- : VDSS= 650V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 2.4Ω(Max) · Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS · General purpose power amplifier ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TC=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VDSS Drain-Source Voltage (VGS=0) 650 V VGS Gate-Source Voltage ± 30 V ID Drain Current-continuous@ TC=25℃ 4 A ID(puls) Pulse Drain Current 16 A Ptot Total Dissipation@TC=25℃ 106 W Tj Max. Operating Junction Temperature 150 ℃ Tstg Storage Temperature Range -55~150 ℃ · THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL PARAMETER MAX UNIT Rth j-c Thermal Resistance, Junction to Case 3 ℃ /W |
Аналогичный номер детали - ISCNH249P |
|
Аналогичное описание - ISCNH249P |
|
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |
Russian ▼
English
Chinese
German
Japanese
Russian
Korean
Spanish
French
Italian
Portuguese
Polish
Vietnamese
Indian
Mexican
British
New Zealand
