| поискавой системы для электроныых деталей |
|
PSMN013-100PS датащи(PDF) 4 Page - VBsemi Electronics Co.,Ltd |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
PSMN013-100PS датащи(HTML) 4 Page - VBsemi Electronics Co.,Ltd |
|
4 / 7 page ![]() TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted On-Resistance vs. Junction Temperature Avalanche Current vs. Time 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 - 50 - 25 0 25 50 75 100 125 150 175 TJ - Junction Temperature (°C) VGS = 10 V ID = 30 A tin (s) 1000 10 0.00001 0.001 0.1 1 0.1 0.01 IAV (A) at TA = 150 °C 100 1 0.0001 IAV (A) at TA = 25 °C Source-Drain Diode Forward Voltage Drain Source Breakdown vs. Junction Temperature VSD - Source-to-Drain Voltage (V) 100 10 1 0.3 0.6 0.9 1.2 TJ = 25 °C TJ = 150 °C 0 180 190 200 210 220 230 240 - 50 - 25 0 25 50 75 100 125 150 175 TJ - Junction Temperature (°C) ID = 1.0 mA E-mail:China@VBsemi TEL:86-755-83251052 www.VBsemi.tw PSMN013-100PS 4 |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |