 |
поискавой системы для электроныых деталей |
|
|
поискавой системы для электроныых деталей |
|
NCE65R360D датащи(PDF) 6 Page - VBsemi Electronics Co.,Ltd |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
NCE65R360D датащи(HTML) 6 Page - VBsemi Electronics Co.,Ltd |
|
|
6 / 8 page  Fig. 19 - For N-Channel P.W. Period dI/dt Diode recovery dV/dt Ripple ≤ 5 % Body diode forward drop Re-applied voltage Reverse recovery current Body diode forward current V GS = 10 V a I SD Driver gate drive D.U.T. l SD waveform D.U.T. V DS waveform Inductor current D = P.W. Period + - + + + - - - Peak Diode Recovery dV/dt Test Circuit V DD • dV/dt controlled by R g • Driver same type as D.U.T. • I SD controlled by duty factor “D” • D.U.T. - device under test D.U.T. Circuit layout considerations • Low stray inductance • Ground plane • Low leakage inductance current transformer R g Note a. V GS = 5 V for logic level devices V DD www.VBsemi.tw E-mail：China@VBsemi TEL:86-755-83251052 NCE65R360D 6 |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |
Russian ▼
English
Chinese
German
Japanese
Russian
Korean
Spanish
French
Italian
Portuguese
Polish
Vietnamese
Indian
Mexican
British
New Zealand
