| поискавой системы для электроныых деталей |
|
LL024N датащи(PDF) 3 Page - VBsemi Electronics Co.,Ltd |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
LL024N датащи(HTML) 3 Page - VBsemi Electronics Co.,Ltd |
|
3 / 6 page ![]() TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted On-Resistance vs. Drain Current Gate Charge Source-Drain Diode Forward Voltage 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.06 0 8 16 24 32 40 VGS = 4.5 V ID - Drain Current (A) VGS = 10 V 0 2 4 6 8 10 04 8 12 16 20 ID = 6.0 V VDS = 30 V Qg - Total Gate Charge (nC) 2.0 2.5 1 10 50 0.00 0.5 1.0 1.5 TJ = 25 °C TJ = 175 °C VSD - Source-to-Drain Voltage (V) Capacitance On-Resistance vs. Junction Temperature On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 0 102030 405060 Crss Coss Ciss VDS - Drain-to-Source Voltage (V) 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 - 50 - 25 0 25 50 75 100 125 150 175 VGS = 10 V ID = 6.0 A TJ - Junction Temperature (°C) 0.00 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 02 4 6 8 10 ID = 6.0 A VGS - Gate-to-Source Voltage (V) E-mail:China@VBsemi TEL:86-755-83251052 www.VBsemi.tw LL024N 3 |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |