| поискавой системы для электроныых деталей |
|
3DA27C датащи(PDF) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
3DA27C датащи(HTML) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
1 / 2 page ![]() isc website:www.iscsemi.com isc & iscsemi is registered trademark 1 isc Silicon NPN Power Transistor 3DA27C DESCRIPTION · With TO-3 · High DC Current Gain- : hFE >10@IC= 1.5A · High Collector-Emitter Breakdown Voltage- V(BR)CEO= 180V(Min) · Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS · Power dissipation ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage 200 V VCEO Collector-Emitter Voltage 180 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current-Continuous 5 A PC Collector Power Dissipation 50 W TJ Junction Temperature -55~175 ℃ Tstg Storage Temperature Range -55~175 ℃ |
Аналогичный номер детали - 3DA27C |
|
Аналогичное описание - 3DA27C |
|
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |