HM9903 datasheet(4/8 Pages) HMSEMI

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功能描述

HM9903

监控电池的电压和电流，并通

过断开充电器或者负载，保护单节可充电锂

电池不会因为过充电压、过放电压、过放电

流以及短路等情况而损坏。这些功能都使可

充电电池工作在指定的范围内。该芯片仅需

一颗外接电容和一个外接电阻，MOSFET已内

置，等效电阻的典型值为 16 mΩ。

HM9903

支持四种运行模式：正常工作

模式、充电工作模式、放电工作模式和休眠

工作模式。

1. 正常工作模式

如果没有检测到任何异常情况，充电和放电

过程都将自由转换。这种情况称为正常工作

模式。

2. 过充电压情况

在正常条件下的充电过程中，当电池电压高

于过充检测电压(Vocv)，并持续时间达到过

充电压检测延迟时间(Tocv)或更长，HM9903

将控制MOSFET以停止充电。这种情况称为过

充电压情况。如果异常情况在过充电压检测

延迟时间(Tocv)内消失，系统将不动作。

以下两种情况下，过充电压情况将被释放：

(1). 充电器连接情况下，VM 端的电压低于

充电器检测电压Vcha，电池电压掉至过充释

放电压(VOCR)。

(2). 充电器未连接情况下，电池电压掉至

过充检测电压(Vocv)。当充电器未被连接时，

电池电压仍然高于过充检测电压，电池将通

过内部二极管放电。

3. 过充电流情况

在充电工作模式下，如果电流的值超过

ICHA 并持续一段时间 (TOCI1) 或更长，芯

片将控制MOSFET 以停止充电。这种情况被

称为过充电流情况。HM9903将持续监控电流

状态，当连接负载或者充电器断开，芯片将

释放过充电流情况。

4. 过放电压情况

在正常条件下的放电过程中，当电池电压掉

至过放检测电压(VODV)，并持续时间达到过

放电压检测延迟时间(TODV) 或更长，HM9903

将切断电池和负载的连接，以停止放电。这

种情况被称为过放电压情况。当放电控制

MOSFET被截止，内部上拉电流管打开。当VDD

电压小于等于2.2V (典型值) ，电流消耗将

降低至休眠状态下的电流消耗(IPDN)。这种

情况被称为休眠情况。当VDD电压等于2.4V

( 典型值) 或更高时，休眠条件将被释放。

并且，电池电压大于等于过放检测释放电压

(VODR) 时，HM9903 将回到正常工作条件。

5. 过放电流情况 (过放电流1和过放电流2

的检测)如果放电电流超过额定值，且持续

时间大于等于过放电流检测延迟时间，电池

和负载将被断开。如果在过放电流检测延迟

时间内，电流又降至额定值范围之内，系统

将不动作。芯片内部下拉电流下拉VM，当VM

的电压小于或等于过放电流1的参考电压，

过放电流状态将被复位。

6. 负载短路电流情况

若VM管脚的电压小于等于短路保护电压

(VSHORT)，系统将停止放电电池和负载的连

接将断开。TSHORT 是切断电流的最大延迟时

间。当VM的电压小于或等于过放电流1的参

考电压，负载短路状态将被复位。

7. 充电器检测

当处于过放电状态下的电池和充电器相连，

若VM 管脚电压小于等于充电器检测电压

VCHA，当电池电压大于等于过放检测电压

VODV，HM9903将释放过放电状态。

内置

MOSFET 锂电池保护芯片

HM9903

HM9903 датащи(PDF) 4 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

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