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HM2786 датащи(PDF) 4 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd |
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HM2786 датащи(HTML) 4 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd |
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4 / 8 page ![]() 4 管脚温度 (焊接 10 秒) 260 ℃ ESD 能力 (人体模型) 3 KV ESD 能力 (机器模型) 250 V 电气参数 ( 无特殊注明,环境温度为 25℃) 符号 参数 测试条件 最小 典型 最大 单位 高压启动部分 (HV 管脚) I HV HV 脚供电电流 HV=600V, VDD=3V 5 10 mA I IHV_leakage HV 脚漏电电流 HV=600V, VDD=8.5V 20 uA V BR 功率 MOSFET 雪 崩击穿电压 650 V VAC_sync_OFF 交流同步关断 电压 50 V 供电部分(VDD 管脚) I VDD_Op VDD 工作电流 Iout=1 mA 1.4 mA V DD_ON VDD 开启电压 7.6 7.8 8 V V DD_OFF VDD 欠压保护 电压 1.2 V V DD_OVP VDD 过压保护 电压 7.6 7.8 8 V V DD_OVP_hys VDD 过压保护 迟滞电压 6.3 6.5 6.7 V 输出部分 (VOUT、VOUT1 管脚) V OUT_3.3V 输出电压 内部设定 3.2 3.3 3.4 V V OUT_2.7V 输出电压 内部设定 2.6 2.7 2.8 V V OUT_5V 输出电压 内部设定 4.9 5 5.1 V V OUT1 输出电压 内部设定 0.66*VOUT V I LIM 输出总电流限 制 100 138 160 mA V UVP 输出欠压保护 电压 10 12.5 15 % ΔV OUT(VIN) 线性调整率 dVout/dVin Iout=100uA 0.2 %/V PSRR 电源抑制比 Iout=30mA, Cout=4.7uF, f=10Hz to 60KHz 60 dB 内置过热保护 HM2786 |
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