 |
поискавой системы для электроныых деталей |
|
|
поискавой системы для электроныых деталей |
|
2N50L-TN3-R датащи(PDF) 7 Page - VBsemi Electronics Co.,Ltd |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2N50L-TN3-R датащи(HTML) 7 Page - VBsemi Electronics Co.,Ltd |
|
|
7 / 9 page  Fig. 14 - For N-Channel P.W. Period dI/dt Diode recovery dV/dt Ripple ≤ 5 % Body diode forward drop Re-applied voltage Reverse recovery current Body diode forward current VGS = 10 V* VDD ISD Driver gate drive D.U.T. ISD waveform D.U.T. VDS waveform Inductor crurent D = P.W. Period + - + + + - - - * VGS = 5 V for logic level devices Peak Diode Recovery dV/dt Test Circuit RG VDD • dV/dt controlled by RG • Driver same type as D.U.T. • ISD controlled by duty factor "D" • D.U.T. - device under test D.U.T. Circuit layout considerations • Low stray inductance • Ground plane • Low leakage inductance current transformer 2N50L-TN3-R www.VBsemi.tw E-mail：China@VBsemi TEL:86-755-83251052 7 |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |
Russian ▼
English
Chinese
German
Japanese
Russian
Korean
Spanish
French
Italian
Portuguese
Polish
Vietnamese
Indian
Mexican
British
New Zealand
